上一节我们说到 2T1C 通过增加
选择晶体管(STFT) 存储电容(CST) 多路复用技术
解决了两个问题：
面内像素的独立控制
像素亮度的保持
1，TFT vth 的来源？？（记住蓝色的字即可）
定义：源极和漏极之间导通时的最小电压（NMOS），公式如下
材料与工艺因素通常会直接影响电荷分布与缺陷状态：
沟道掺杂：向沟道区域注入硼（B）等杂质，会增加体电荷密度，需要更高的栅压来克服这些电荷才能形成沟道，从而导致Vth正偏。
- 栅介质（GI）电荷（改变平带电压）：
固定电荷（Fixed charge）：界面附近不可移动的正/负电荷。
有源层质量：
缺陷（如氧空位、悬挂键、晶界）充当电荷陷阱或施主/受主中心。
氧空位（在 IGZO 中）→ 施主态 → 提供自由电子 → 降低 Vth。
悬挂键或杂质 → 陷阱态 → 捕获载流子 → 导致 Vth、漂移
2，TFT vth 对亮度的影响？（NMOS管为例）
Vth 正偏：器件更难开启 → 需要更大的正栅压才能导通
关态漏电流降低：有利于黑态功耗
Vth 负偏：器件更容易开启，甚至变为常开（normally-on， Vth<0）
关态漏电流增大 → 静态功耗上升
3，像素电路vth 内补偿设计（3T1C）
为了补偿vth，我们可以让驱动电压到达栅极的过程 经过 DTFT，从2T1C 像素电路变成 右边的3T1C 电路：
充电的过程：
（假定这个阶段PVDD 和 PVEE，两处是断路）
（同时假定，初始的栅极电压是一个较大的电压，确保驱动电压可正常写入）
当Scan 信号打开，电荷逐渐从驱动电极注入CST
栅极电压从高到低逐渐减小，当 Vgs-Vth =0 停止，电荷锁入 CST
即栅极电压 Vg = 驱动电压 +vth ，即实现了vth 的抓取
此时 电容上下极电压差： delta V = 驱动电压 +vth -PVDD
发光的过程：
当Scan信号关闭， Vs 从原来的 驱动电压，变成了 PVDD
Vgs = 驱动电压 +vth - PVDD
复位初始化：EM-Scan低电平，隔离电源干扰 栅极初始化：Scan2高电平，确保DTFT开启状态 数据写入：Scan2低电平，Scan1高电平，写入Vdata并完成Vth提取 发光显示：Scan1低电平，EM-Scan高电平，OLED按补偿后电流发光
5，技术演进与前沿发展
1. 复杂补偿电路结构
随着显示需求提高，出现了更复杂的补偿结构：
7T1C电路：在6T1C基础上增加OLED旁路晶体管，更彻底消除残影
4T2C电路：采用双栅极TFT设计，通过底栅极电位调控Vth值
2. LTPO宽频驱动技术
LTPO技术结合LTPS（高频性能好）和氧化物（如IGZO，关态电流低）两种TFT优点，支持1~120Hz刷新率自适应调节，大幅降低动态功耗。
3. 一次锁存（OTD）架构
OTD架构创新性地将Vth锁存与数据刷新分离，将补偿频率降至数据刷新频率的1/N（如每20帧补偿一次），高刷新率下动态功耗降低超50%。