【NE报告】PCIM Asia Shanghai 2025 展后报告

【NE报告】PCIM Asia Shanghai 2025 展后报告

4天前

在PCIM Asia Shanghai 2025 展会上,博世、英飞凌、中车时代半导体等多家主流企业集中呈现了以碳化硅(SiC)为核心的车规级功率模块及配套方案。 博世主推的 PM6.2 模块支持 1 …

东芝碳化硅的“芯”思路

东芝碳化硅的“芯”思路

21天前

2025年9月24日-26日,2025 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会) 在上海新国际博览中心举办,东芝携其创新技术、产品亮相展会。NE时代作为受邀媒体出席了东芝2025 …

碳化硅(SiC)产业链投资价值深度分析

碳化硅(SiC)产业链投资价值深度分析

1个月前

2025 碳化硅投资指南:8 英寸与 6 英寸天差地别,4 大黄金赛道标的全解析​ 一边是 6 英寸衬底价格暴跌 40% 逼近成本线,一边是 8 英寸产品供不应求 ——2025 年碳化硅(SiC)产业 …

【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量中的各向异性效应及其修正算法

【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量中的各向异性效应及其修正算法

1个月前

一、引言 碳化硅(SiC)凭借优异的物理化学性能,成为功率半导体器件的核心材料。总厚度偏差(TTV)作为衡量 SiC 衬底质量的关键指标,其精确测量对器件性能和可靠性至关重要。然而,碳化硅独特的晶体结 …

[新启航]《超薄碳化硅衬底 TTV 测量:技术挑战与解决方案》

[新启航]《超薄碳化硅衬底 TTV 测量:技术挑战与解决方案》

1个月前

超薄碳化硅衬底(<100μm)TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案 引言 碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料,在功率器件、射频器件等领域展现出卓越性能 。随着技术发展,对 SiC 衬底的尺寸、 …

2025年中国碳化硅棍棒行业发展现状及趋势分析,碳行业的制备技术从传统的热压法向高效的化学气相沉积法转变「图」

2025年中国碳化硅棍棒行业发展现状及趋势分析,碳行业的制备技术从传统的热压法向高效的化学气相沉积法转变「图」

1个月前

HUAON PART  ONE 碳化硅棍棒行业概述 碳化硅辊棒是一种以碳化硅(SiC)为主要原料,经过高温烧结等工艺制成的具有耐高温、耐磨损、高强度等特性的陶瓷辊棒。它具有优异的性能,适用于高温、高压 …

【新启航】便携式碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备的性能与适用场景

【新启航】便携式碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备的性能与适用场景

1个月前

摘要 本文围绕便携式碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备,深入分析其测量精度、速度、便携性等性能指标,并结合半导体生产车间、科研实验室、现场检测等场景,探讨设备的适用性,旨在为行业选择合适的测量设备提供参 …

碳化硅衬底 TTV 厚度测量方法的优劣势对比评测

碳化硅衬底 TTV 厚度测量方法的优劣势对比评测

2个月前

摘要 本文对碳化硅衬底 TTV 厚度测量的多种方法进行系统性研究,深入对比分析原子力显微镜测量法、光学测量法、X 射线衍射测量法等在测量精度、效率、成本等方面的优势与劣势,为不同应用场景下选择合适的测 …

碳化硅行业:SiC在全球功率半导体中渗透率持续增长 电动汽车为最大应用领域

碳化硅行业:SiC在全球功率半导体中渗透率持续增长 电动汽车为最大应用领域

4个月前

根据观研报告网发布的《中国碳化硅行业发展深度分析与投资前景研究报告(2025-2032)》显示,碳化硅(SiC)是由硅和碳元素组成的宽禁带半导体材料‌,化学式为SiC,俗称金刚砂,具有高硬度、耐高温、 …

碳化硅(SiC)MOSFET的栅氧可靠性成为电力电子客户应用中的核心关切点

碳化硅(SiC)MOSFET的栅氧可靠性成为电力电子客户应用中的核心关切点

5个月前

为什么现在越来越多的客户一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商聊的第一个话题就是碳化硅MOSFET的栅氧可靠性,碳化硅(SiC)MOSFET的栅氧可靠性成为电力电子客户应用中的核心关切点,其背后 …