适当减少进给量,使切割材料去除量更均匀,提高碳化硅衬底TTV均匀性

适当减少进给量,使切割材料去除量更均匀,提高碳化硅衬底TTV均匀性

7个月前

碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(TTV)的均匀性,对最终器件的性能有着决定性影响。在 …