Hello,大家好，我们今天来聊聊光刻工艺中的 涂胶工艺。
在晶圆上面涂上一层光刻胶(光阻). 共分成7 大部步骤
第1步：清洗（CLEAN），涂胶前用于去除晶圆表面的杂质和粉尘颗粒。
第2步：脱水(DEHYDRATION)，又叫干燥，用加热法去掉晶圆的水分，
第3 步：粘附(ADHERSION)，为增强光刻胶与衬底的附着力,会在晶圆表面涂抹六甲基乙硅氮烷(HMDS)等化合物，例如：采用气相底膜涂胶方式，在 200 – 250℃的密闭腔体内，30 秒左右使 HMDS 呈雾状形成基底膜.
第4 步：冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
第5 步：涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶，有静态涂胶（黏度较低的光刻胶）和动态涂胶两种方式。涂完胶后将晶圆快速旋转，使光刻胶在离心力作用下伸展到整个硅片表面，并甩去多余光刻胶，形成均匀的胶膜覆盖层。
EBR(Edge Bead Removal):因为涂完光刻胶后，晶圆边缘的光刻胶会比中间的区域厚，所以可在涂胶过程中加入去边及背喷工艺（ PGMEA、 EGMEA 为常用去边液），在旋转中以一定的倾斜度向外喷洒溶剂，使得溶解的光刻胶和溶剂一起被甩出去。
第6步：预烘(SOFTBAKE)，用加热法把光阻中的溶剂蒸发掉，将涂好的胶的晶圆置于 85 – 120℃环境中处理 30 – 60 秒（时间和温度依光刻胶及工艺条件而定）。预烘会使光刻胶厚度减薄 10% – 20% 左右。
第7 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
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