2025-09-20 06:10
深创投、中网投等机构近亿元资金押注,杭州富加镓业用智能装备打破海外垄断,让中国在第四代半导体材料竞争中抢得先机。
在新能源汽车追求“充电5分钟,续航400公里”的今天,氧化镓这种第四代半导体材料正成为关键突破口。杭州富加镓业科技有限公司自主研发的“一键长晶”智能装备,将晶体生产效率提升30%,良率提高至85%以上。
这项技术突破不仅填补了国内产业化空白,更在全球范围内确立了性能与效率的双重优势。2025年9月,公司宣布完成近亿元A+轮融资,由深创投、中网投、仁智资本等知名机构共同参与。
01 技术突破:AI赋能半导体制造
富加镓业成立于2019年12月31日,是杭州光学精密机械研究所孵化的第一家“硬科技”企业。公司聚焦氧化镓单晶制备与外延技术的全链条开发,致力于解决从技术创新到产业应用的系统性挑战。
2024年5月,富加镓业在国际上率先突破导模法“一键长晶”技术。通过机器学习技术实现氧化镓单晶生长智能化控制,这项创新打破了海外技术垄断。
2025年2月,公司又在垂直布里奇曼(VB)法氧化镓晶体生长领域取得重大突破。测试结果表明,使用富加镓业设备生长出的4英寸VB晶体内无孪晶,性能达到国际先进水平。
02 产品性能:跻身全球第一梯队
富加镓业的核心产品包括氧化镓单晶衬底、MOCVD外延片、MBE外延片及氧化镓晶体生长装备。
经中国计量科学研究院测试,其氧化镓同质外延片载流子浓度为4.2E16cm-3,迁移率达到181.6cm²/V·s。这些指标表明富加镓业的产品已经达到国际领先水平。
公司生产的4英寸氧化镓衬底XRD半高全宽(FWHM)优于50arcsec,衬底表面粗糙度(Ra)小于0.2nm,加工指标达到4英寸碳化硅衬底产品要求。
03 技术创新:全链条开发能力
富加镓业的技术创新体现在多个方面:
智能化装备开发:公司率先引入人工智能技术,推出“一键长晶”智能装备,实现了晶体生长的智能化控制。
外延技术突破:公司在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要突破,成功在氧化镓单晶衬底上外延出厚度超过10微米的薄膜。
全产业链布局:富加镓业致力于打通从晶体生长到外延制备的全技术链条,推动氧化镓从实验室走向规模化应用。
04 竞争优势:中国特色的创新路径
与国内外竞争对手相比,富加镓业展现出独特优势:
技术领先性:从技术差距六七年到差距不足一年,富加镓业实现了快速追赶并部分超越。
原材料优势:中国镓储量约19万吨,占全球七成以上,禁运前出口量超全球九成。这为富加镓业提供了稳定的原材料供应。
应用市场广阔:中国作为全球最大的新能源汽车和智能电网市场,为氧化镓提供了丰富的应用场景。
产学研协同:创始人齐红基同时担任杭州光机所所长,这种“所长办公司”的模式把科研和产业化紧密结合。

05 护城河:构建多重壁垒
富加镓业正在构建多维度护城河:
技术壁垒:公司已申请12项国际专利和40项国内专利,在晶体生长和外延技术方面形成专利保护网。
装备壁垒:自主开发的“一键长晶”智能装备不仅自用,还可向行业输出,形成技术标准和生态优势。
人才壁垒:背靠杭州光机所的研发资源和人才储备,具备持续创新能力。
先发优势:正在建设国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生产线,预计2026年底实现年产万片产能,将填补国内规模化供应空白。
06 市场前景:百亿蓝海待开拓
氧化镓作为最具发展潜力的第四代半导体材料,在高功率器件、极端环境应用等领域展现出巨大潜力。
特别是在新能源汽车高压快充技术发展、支持电网系统向万伏甚至更高电压平台演进方面,氧化镓将有望显著提升能源转换效率。
富加镓业的产品将为新能源汽车高压平台、智能电网柔性输电装置等高端装备提供关键材料支撑。基于MOCVD技术的高质量氧化镓同质外延薄膜的研制成功,未来将助力3300V以上垂直型高压功率电子器件产业快速落地。
公司预计2026年实现营收超3亿元,并随着6英寸生产线的建成,有望迅速扩大市场份额。
07 挑战与风险:产业化之路仍漫长
尽管前景广阔,富加镓业仍面临多重挑战:
技术成熟度:氧化镓材料在晶体生长、衬底制备和大尺寸外延等方面仍存在较高的技术壁垒和产业化挑战。
市场竞争:国际竞争对手也在加紧布局,日本企业在氧化镓领域仍持有先发优势。
资金需求:半导体材料产业需要持续大规模投入,公司后续可能仍需融资支持。
人才竞争:高端半导体人才紧缺,面临行业内外的人才争夺战。
随着6英寸生产线在2026年底建成,富加镓业有望实现年产万片产能。
氧化镓器件一旦大规模应用,新能源汽车充电可实现“5到7分钟充满”,电网系统可支持万伏以上电压平台演进。
中国镓储量占全球七成以上的战略资源,加上富加镓业等企业的技术突破,正让中国在第四代半导体竞争中从跟跑变为并跑甚至领跑。
未来五年,氧化镓材料需求将呈现爆发式增长。谁掌握新一代材料,谁就有可能在下一轮科技竞争中握有话语权。
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