在实际项目中，很多小伙伴经常遇到电源芯片莫名其妙就损坏了，私底下也咨询过核桃，其实电源芯片损坏无非就这几个原因：
（2）过流，电路中存在短路，而芯片本身不具备短路保护功能。
（3）过温，电路的使用环境恶劣，或者负载过重，导致芯片温升过快（芯片不具备过温保护的前提下）
（4）正负接反，这个想必很多小伙伴都遇到过，正负接反，芯片就直接炸了。
今天就抽空和大伙来聊一聊具备：过流，过压，防反接，防浪涌，缓启动的输入电路。
使用保险丝来做过流保护，当负载出现短路大电流时，可以迅速断开输入电压，起到保护设备的作用。
对于浪涌保护，最常用的就是使用TVS管，TVS管可以在极短的时间内削弱浪涌电流，从而保护后级设备。
顾名思义，就是在正负接反是能切断电流回路的电路，当正负正确接入，电路也能正常工作的电路，就是防反接电路，这里采用NMOS来做开关管，具有载流能力强，内阻低，发热量低等优势。
其中R1是限流电阻，主要保护ZD1，ZD1是9.1V的稳压管，ZD1主要作用是保护Q66 NMOS的栅极过大而损坏。
其实过压保护电路核桃之前也有写过，这里就不再赘述原理了，具体可戳下面这篇文章：
和之前文章的区别在于ZD2，因为本文章的电路输入电压时24V的，所以稳压二极管ZD2选择的是27V的稳压管，也就是当输入电压超过27V时，就是触发电路的过压保护。
电路刚上电瞬间（电压不能突变），电容C2相当于短路，致使Q1三极管B极电压拉低而导通，24V输入电压从三极管Q1加载到MOS管Q2的栅极，由于Vgs不能满足小于0V的要求，故MOS管Q2截止。
随着上电时间的延长，电容开始慢慢充电，电容的内阻也逐渐增大，当电容两端电压达到约等于输入电压时，三极管Q1截止，致使MOS管Q2栅极电平拉低，从而导通，后级负载正常得电。
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